Infineon EasyPACK N-Kanal MOSFET 1200 V / 50 A, 23-Pin AG-EASY1B
- RS Best.-Nr.:
- 284-816
- Herst. Teile-Nr.:
- DF17MR12W1M1HFB68BPSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 284-816
- Herst. Teile-Nr.:
- DF17MR12W1M1HFB68BPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 50 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V | |
| Serie | EasyPACK | |
| Gehäusegröße | AG-EASY1B | |
| Pinanzahl | 23 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 50 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1200 V | ||
Serie EasyPACK | ||
Gehäusegröße AG-EASY1B | ||
Pinanzahl 23 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Das Infineon MOSFET-Modul ist eine hochmoderne, leistungsstarke Lösung für anspruchsvolle Anwendungen im industriellen Bereich. Dieses innovative Modul zeichnet sich durch ein niederinduktives Design aus, das die Betriebseffizienz verbessert und gleichzeitig robuste Wärmemanagementfunktionen bietet. Er ist auf die CoolSiC Trench-MOSFET-Technologie zugeschnitten, liefert beeindruckende Stromdichten und eignet sich gut für Solaranwendungen. Mit seinen wettbewerbsfähigen mechanischen und elektrischen Merkmalen unterstützt dieses Modul die sich entwickelnde Landschaft der modernen Leistungselektronik.
Optimiert für hohe Stromdichte
Integrierter NTC-Sensor verbessert die thermische Überwachung
Robuste Montage gewährleistet Stabilität in unterschiedlichen Umgebungen
PressFIT-Technologie vereinfacht Montage und Anschlüsse
Qualifiziert für industrielle Anwendungen gemäß IEC-Normen
Ideal für Solarenergieanlagen
Niedrige Induktivität reduziert Schaltverluste
Integrierter NTC-Sensor verbessert die thermische Überwachung
Robuste Montage gewährleistet Stabilität in unterschiedlichen Umgebungen
PressFIT-Technologie vereinfacht Montage und Anschlüsse
Qualifiziert für industrielle Anwendungen gemäß IEC-Normen
Ideal für Solarenergieanlagen
Niedrige Induktivität reduziert Schaltverluste
Verwandte Links
- Infineon EasyPACK N-Kanal MOSFET 1200 V / 50 A, 23-Pin AG-EASY1B
- Infineon EasyPACK N-Kanal Dual MOSFET 1200 V / 30 A, 23-Pin AG-EASY1B
- Infineon EasyPACK N-Kanal Dual MOSFET 1200 V / 50 A, 23-Pin AG-EASY1B
- Infineon EasyPACK N-Kanal Dual MOSFET 1200 V / 25 A, 23-Pin AG-EASY1B
- Infineon EasyPACK N-Kanal 3 MOSFET 1200 V / 25 A, 23-Pin AG-EASY1B
- Infineon EasyDUAL N-Kanal Dual MOSFET 1200 V / 25 A, 23-Pin AG-EASY1B
- Infineon EasyDUAL N-Kanal Dual MOSFET 1200 V / 50 A, 23-Pin AG-EASY1B
- Infineon, Klemmbefestigung MOSFET 1200 V / 150 A AG-EASY1BS-1
