Infineon Isoliert HEXFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 2.4 A 1.25 W, 8-Pin MSOP

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RS Best.-Nr.:
301-186P
Herst. Teile-Nr.:
IRF7507TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

MSOP

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.40Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.2nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.25W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

0.86mm

Länge

3mm

Normen/Zulassungen

EIA-481, EIA-541, ANSI Y14.5M-1982

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

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