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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	45A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	1700V
	Gehäusegröße	TO-247-4L
	Serie	EliteSiC
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	76mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	25 V
	Durchlassspannung Vf	4.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	105nC
	Maximale Verlustleistung Pd	333W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	Pb-Free and RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 1700V
	Gehäusegröße TO-247-4L
	Serie EliteSiC
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 76mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 25 V
	Durchlassspannung Vf 4.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 105nC
	Maximale Verlustleistung Pd 333W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen Pb-Free and RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - NVH4L050N170M1

Ursprungsland:: CN

Der Hochspannungs-Leistungs-MOSFET von ON Semiconductor wurde für effiziente Schaltanwendungen entwickelt, die geringe Leitungsverluste und einen zuverlässigen Betrieb gewährleisten. Sein fortschrittliches Gehäuse bietet eine hervorragende thermische Leistung und eignet sich daher für anspruchsvolle Umgebungen. Dieser Baustein bietet eine erhöhte Belastbarkeit mit optimierten elektrischen Eigenschaften.

TO 247 4L-Paket

RoHS-Konformität

Bleifrei

onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1700 V / 45 A 333 W, 4-Pin TO-247-4L

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