onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1700 V / 45 A 333 W, 4-Pin NVH4L050N170M1 TO-247-4L

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RS Best.-Nr.:
333-413
Herst. Teile-Nr.:
NVH4L050N170M1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1700V

Gehäusegröße

TO-247-4L

Serie

EliteSiC

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

76mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

105nC

Durchlassspannung Vf

4.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Pb-Free and RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Hochspannungs-Leistungs-MOSFET von ON Semiconductor wurde für effiziente Schaltanwendungen entwickelt, die geringe Leitungsverluste und einen zuverlässigen Betrieb gewährleisten. Sein fortschrittliches Gehäuse bietet eine hervorragende thermische Leistung und eignet sich daher für anspruchsvolle Umgebungen. Dieser Baustein bietet eine erhöhte Belastbarkeit mit optimierten elektrischen Eigenschaften.

TO 247 4L-Paket

RoHS-Konformität

Bleifrei

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