onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 67 A 245 W, 4-Pin NTH4L023N065M3S TO-247-4L

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Herst. Teile-Nr.:
NTH4L023N065M3S
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

67A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

NTH

Gehäusegröße

TO-247-4L

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

23mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

69nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

245W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI

Ursprungsland:
CN
Die SiC-MOSFETs von ON Semiconductor sind für schnelle Schaltanwendungen optimiert. Die Planar-Technologie arbeitet zuverlässig mit negativer Gate-Spannung und schaltet Spikes am Gate aus. Die optimale Leistung wird mit einem 18-V-Gate-Antrieb erzielt, funktioniert aber auch mit einem 15-V-Gate-Antrieb gut.

Extrem niedrige Gate-Ladung

Hohe Schaltgeschwindigkeit bei geringer Kapazität

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Das Gerät ist halidfrei und RoHS-konform

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