onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 50 A 187 W, 4-Pin NTH4L032N065M3S TO-247-4L

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Herst. Teile-Nr.:
NTH4L032N065M3S
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

NTH

Gehäusegröße

TO-247-4L

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

44mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

187W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Durchlassspannung Vf

6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET EliteSiC von ON Semiconductor ist ein 650 V, 32 mΩ-Baustein im M3S TO247-4L-Gehäuse. Er zeichnet sich durch eine extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 55 nC) und hohe Schaltgeschwindigkeit bei geringer Kapazität (Coss = 114 pF) aus. Das Gerät ist zu 100 % Avalanche-geprüft, halogenfrei und RoHS-konform mit der Ausnahme 7a. Außerdem ist es auf der zweiten Verbindungsebene Pb-frei, was es für anspruchsvolle Anwendungen in der Leistungselektronik geeignet macht.

Hoher Wirkungsgrad und reduzierte Schaltverluste

Robuster und zuverlässiger Betrieb in rauen Umgebungen

Ideal für Anwendungen in der Automobilbranche und im Bereich der erneuerbaren Energien

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