onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 50 A 187 W, 4-Pin TO-247-4L

RS Best.-Nr.:: 327-805
Herst. Teile-Nr.:: NTH4L032N065M3S
Marke:: onsemi

onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 50 A 187 W, 4-Pin TO-247-4L

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RS Best.-Nr.:: 327-805
Herst. Teile-Nr.:: NTH4L032N065M3S
Marke:: onsemi

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	50A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-247-4L
	Serie	NTH
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	44mΩ
	Channel-Modus	N
	Durchlassspannung Vf	6V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	55nC
	Maximale Verlustleistung Pd	187W
	Gate-Source-spannung max Vgs	22 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI
	Automobilstandard	Nein

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	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-247-4L
	Serie NTH
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 44mΩ
	Channel-Modus N
	Durchlassspannung Vf 6V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC
	Maximale Verlustleistung Pd 187W
	Gate-Source-spannung max Vgs 22 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI
	Automobilstandard Nein

Datasheet - NTH4L032N065M3S

Ursprungsland:: CN

Der Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET EliteSiC von ON Semiconductor ist ein 650 V, 32 mΩ-Baustein im M3S TO247-4L-Gehäuse. Er zeichnet sich durch eine extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 55 nC) und hohe Schaltgeschwindigkeit bei geringer Kapazität (Coss = 114 pF) aus. Das Gerät ist zu 100 % Avalanche-geprüft, halogenfrei und RoHS-konform mit der Ausnahme 7a. Außerdem ist es auf der zweiten Verbindungsebene Pb-frei, was es für anspruchsvolle Anwendungen in der Leistungselektronik geeignet macht.

Hoher Wirkungsgrad und reduzierte Schaltverluste

Robuster und zuverlässiger Betrieb in rauen Umgebungen

Ideal für Anwendungen in der Automobilbranche und im Bereich der erneuerbaren Energien

onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 50 A 187 W, 4-Pin TO-247-4L

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