onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 70 A 263 W, 3-Pin NTHL023N065M3S TO-247-3L

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.11.109

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 21. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.11.11
10 - 99CHF.10.01
100 - 499CHF.9.22
500 - 999CHF.8.56
1000 +CHF.6.94

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
277-044
Herst. Teile-Nr.:
NTHL023N065M3S
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247-3L

Serie

NTH

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

23mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

69nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Durchlassspannung Vf

6V

Maximale Verlustleistung Pd

263W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Die SiC-MOSFETs von ON Semiconductor sind für schnelle Schaltanwendungen optimiert. Die Planar-Technologie arbeitet zuverlässig mit negativer Gate-Spannung und schaltet Spikes am Gate aus. Die optimale Leistung wird mit einem 18-V-Gate-Antrieb erzielt, funktioniert aber auch mit einem 15-V-Gate-Antrieb gut.

Extrem niedrige Gate-Ladung

Hohe Schaltgeschwindigkeit bei geringer Kapazität

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Das Gerät ist halidfrei und RoHS-konform

Verwandte Links