Infineon IMB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 189 A 800 W, 7-Pin IMBG120R008M2HXTMA1 PG-TO263-7

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RS Best.-Nr.:
349-092
Herst. Teile-Nr.:
IMBG120R008M2HXTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

189A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

IMB

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

21mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

800W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±25 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

195nC

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22, RoHS

Breite

10.2 mm

Länge

15mm

Höhe

4.5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
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