Infineon IMB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 10.5 A 94 W, 7-Pin IMBG120R181M2HXTMA1 PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 349-105
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG120R181M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.5.544 | CHF.11.08 |
| 20 - 198 | CHF.4.988 | CHF.9.98 |
| 200 - 998 | CHF.4.599 | CHF.9.20 |
| 1000 - 1998 | CHF.4.263 | CHF.8.53 |
| 2000 + | CHF.3.822 | CHF.7.64 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-105
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG120R181M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | IMB | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 181.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.7nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 94W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Länge | 15mm | |
| Breite | 10.2 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie IMB | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 181.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.7nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 94W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Höhe 4.5mm | ||
Länge 15mm | ||
Breite 10.2 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 ist ein Hochleistungs-Siliziumkarbid-MOSFET, der sich durch einen hohen Wirkungsgrad und sehr geringe Schaltverluste auszeichnet. Mit einer Kurzschlussfestigkeit von 2 μs bietet das Gerät einen robusten Schutz gegen Fehlerbedingungen. Die Benchmark-Gate-Schwellenspannung (VGS(th)) von 4,2 V gewährleistet ein optimales Schaltverhalten und macht ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für anspruchsvolle Leistungsanwendungen, die eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern.
Robuste Body-Diode für harte Kommutierung
Die .XT-Verbindungstechnologie für die beste thermische Leistung ihrer Klasse
Bessere Energieeffizienz
Optimierung der Kühlung
Höhere Leistungsdichte
Neue Robustheitsmerkmale
Sehr zuverlässig
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