Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1700 V / 10 A 111 W, 3-Pin IMWH170R450M1XKSA1

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.8.673

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 240 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.8.67
10 - 99CHF.7.80
100 - 499CHF.7.19
500 - 999CHF.6.68
1000 +CHF.5.99

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
349-109
Herst. Teile-Nr.:
IMWH170R450M1XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1700V

Gehäusegröße

PG-TO-247-3-STD-NN4.8

Serie

CoolSiC

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

390mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

15 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

111W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Infineon CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET ist ein Hochleistungs-Siliziumkarbid-MOSFET, der für effizientes Leistungsschalten entwickelt wurde. Er ist mit 12 V / 0 V Gate-Source-Spannung kompatibel und kann daher mit den meisten Flyback-Controllern verwendet werden. Mit einer Benchmark-Gate-Schwellenspannung (VGS(th)) von 4,5 V gewährleistet er eine zuverlässige und effiziente Schaltleistung in einem breiten Spektrum von Leistungsanwendungen. Dieser MOSFET ist eine ausgezeichnete Wahl für Systeme, die einen Hochspannungsbetrieb und eine verbesserte Energieeffizienz erfordern.

Sehr geringe Schaltverluste

Vollständig steuerbares dv/dt zur EMI-Optimierung

Die .XT-Verbindungstechnologie für die beste thermische Leistung ihrer Klasse

Verwandte Links