Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1700 V / 7.5 A 88 W, 3-Pin IMWH170R650M1XKSA1

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RS Best.-Nr.:
349-110
Herst. Teile-Nr.:
IMWH170R650M1XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1700V

Gehäusegröße

PG-TO-247-3-STD-NN4.8

Serie

CoolSiC

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

580mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.1nC

Maximale Verlustleistung Pd

88W

Gate-Source-spannung max Vgs

15 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Infineon CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET ist ein Hochleistungs-Siliziumkarbid-MOSFET, der für effizientes Leistungsschalten entwickelt wurde. Er ist mit 12 V / 0 V Gate-Source-Spannung kompatibel und kann daher mit den meisten Flyback-Controllern verwendet werden. Mit einer Benchmark-Gate-Schwellenspannung (VGS(th)) von 4,5 V gewährleistet er eine zuverlässige und effiziente Schaltleistung in einem breiten Spektrum von Leistungsanwendungen. Dieser MOSFET ist eine ausgezeichnete Wahl für Systeme, die einen Hochspannungsbetrieb und eine verbesserte Energieeffizienz erfordern.

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