Infineon IPQ Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungsbauelement Erweiterung 60 V / 90 A 416 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
- RS Best.-Nr.:
- 349-202
- Herst. Teile-Nr.:
- IPQC60T022S7AXTMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPQC60T022S7AXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungsbauelement | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | IPQ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 416W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC Q101, JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungsbauelement | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-22 | ||
Serie IPQ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 22 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 416W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AEC Q101, JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolMOS S7TA bietet die beste Preisleistung für niederfrequente Schaltanwendungen. Der eingebettete Temperatursensor erhöht die Genauigkeit und Robustheit bei der Messung der Sperrschichttemperatur und ermöglicht gleichzeitig eine einfache und nahtlose Implementierung. Der CoolMOS S7TA ist für statisches Schalten und Hochstromanwendungen optimiert. Der neue Temperatursensor verbessert die Eigenschaften von S7A und ermöglicht die bestmögliche Nutzung des Leistungstransistors.
Optimierte Preisleistung bei niederfrequenten Schaltanwendungen
Hohe Impulsstromfähigkeit
Lückenlose Diagnose bei niedrigsten Systemkosten
Erhöhte Systemleistung
Minimierte Leitungsverluste
Mehr Zuverlässigkeit und längere Lebensdauer des Systems
Stoß- und vibrationsbeständigkeit
Keine Kontaktüberschläge oder Prellungen
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