Infineon IPQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 30 A 500 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
- RS Best.-Nr.:
- 349-004
- Herst. Teile-Nr.:
- IPQC60T017S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
| 1 - 9 | CHF.19.26 |
| 10 - 99 | CHF.17.34 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-004
- Herst. Teile-Nr.:
- IPQC60T017S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | IPQ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 196nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-22 | ||
Serie IPQ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 22 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 196nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolMOS S7T bietet die beste Preisleistung für niederfrequente Schaltanwendungen. Der eingebettete Temperatursensor erhöht die Genauigkeit und Robustheit bei der Messung der Sperrschichttemperatur und ermöglicht gleichzeitig eine einfache und nahtlose Implementierung. Der CoolMOS S7T ist für statisches Schalten und Hochstromanwendungen optimiert. Der neue Temperatursensor verbessert die Eigenschaften von S7 und ermöglicht die bestmögliche Nutzung des Leistungstransistors.
Erhöhte Systemleistung
Erhöhte Systemleistung
Kompakteres und unkomplizierteres Design
Niedrigere BOM oder TCO über eine längere Lebensdauer
Mehr Zuverlässigkeit und längere Lebensdauer des Systems
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