Infineon IPDQ60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 174 A 694 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
- RS Best.-Nr.:
- 351-942
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60T010S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 351-942
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60T010S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 174A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | IPDQ60 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.022Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 318nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 694W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Länge | 15.1mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 174A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-22 | ||
Serie IPDQ60 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 22 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.022Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 318nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 694W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.35mm | ||
Länge 15.1mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolMOS S7T mit integriertem Temperatursensor erhöht die Genauigkeit und Robustheit der Sperrschichttemperaturmessung und ermöglicht eine einfache Implementierung. Der Baustein ist für Schaltanwendungen mit niedrigen Frequenzen und hohen Strömen optimiert. Er eignet sich ideal für Halbleiterrelais, Leistungsschalter und die Netzgleichrichtung in SMPS.
Minimierte Leitungsverluste
Erhöhte Systemleistung
Ermöglicht eine kompaktere Bauweise als EMR
Niedrigere TCO über einen längeren Zeitraum
Ermöglicht Designs mit höherer Leistungsdichte
Reduktion der externen Sensor- Elemente
Beste Ausnutzung des Leistungstransistors
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