Infineon IPDQ60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 174 A 694 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
- RS Best.-Nr.:
- 351-942
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60T010S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60T010S7XTMA1
- Marke:
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 174A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IPDQ60 | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-22 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.022Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 694W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 318nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Länge | 15.1mm | |
| Breite | 15.5 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 174A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IPDQ60 | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-22 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 22 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.022Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 694W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 318nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Höhe 2.35mm | ||
Länge 15.1mm | ||
Breite 15.5 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolMOS S7T mit integriertem Temperatursensor erhöht die Genauigkeit und Robustheit der Sperrschichttemperaturmessung und ermöglicht eine einfache Implementierung. Der Baustein ist für Schaltanwendungen mit niedrigen Frequenzen und hohen Strömen optimiert. Er eignet sich ideal für Halbleiterrelais, Leistungsschalter und die Netzgleichrichtung in SMPS.
Minimierte Leitungsverluste
Erhöhte Systemleistung
Ermöglicht eine kompaktere Bauweise als EMR
Niedrigere TCO über einen längeren Zeitraum
Ermöglicht Designs mit höherer Leistungsdichte
Reduktion der externen Sensor- Elemente
Beste Ausnutzung des Leistungstransistors
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