Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 54 A 272 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
- RS Best.-Nr.:
- 349-199
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60T040S7AXTMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.10.322
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 26. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.10.32 |
| 10 - 99 | CHF.9.29 |
| 100 - 499 | CHF.8.57 |
| 500 - 999 | CHF.7.94 |
| 1000 + | CHF.7.13 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-199
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60T040S7AXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 54A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 272W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 83nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC Q101, JEDEC | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 54A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-22 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 22 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 272W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 83nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC Q101, JEDEC | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolMOS S7TA bietet die beste Preisleistung für niederfrequente Schaltanwendungen. Der eingebettete Temperatursensor erhöht die Genauigkeit und Robustheit bei der Messung der Sperrschichttemperatur und ermöglicht gleichzeitig eine einfache und nahtlose Implementierung. Der CoolMOS S7TA ist für statisches Schalten und Hochstromanwendungen optimiert. Der neue Temperatursensor verbessert die Eigenschaften von S7A und ermöglicht die bestmögliche Nutzung des Leistungstransistors.
Optimierte Preisleistung bei niederfrequenten Schaltanwendungen
Hohe Impulsstromfähigkeit
Lückenlose Diagnose bei niedrigsten Systemkosten
Erhöhte Systemleistung
Minimierte Leitungsverluste
Mehr Zuverlässigkeit und längere Lebensdauer des Systems
Stoß- und vibrationsbeständigkeit
Keine Kontaktüberschläge oder Prellungen
Verwandte Links
- Infineon IPQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 54 A 272 W, 22-Pin IPQC60T040S7AXTMA1 PG-HDSOP-22
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 288 A 1249 W, 22-Pin IPDQ60R007CM8XTMA1 PG-HDSOP-22
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 90 A 416 W, 22-Pin IPDQ60T022S7XTMA1 PG-HDSOP-22
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 416 W, 22-Pin IPDQ60T022S7AXTMA1 PG-HDSOP-22
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 113 A 500 W, 22-Pin IPDQ60T017S7AXTMA1 PG-HDSOP-22
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 113.3 A 500 W, 22-Pin IPDQ60T017S7XTMA1 PG-HDSOP-22
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 207 A 272 W HDSOP
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 207 A 272 W IPDQ60R040S7XTMA1 HDSOP