Teile-Nr.

Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 207 A 272 W HDSOP

RS Best.-Nr.:: 260-1201
Herst. Teile-Nr.:: IPDQ60R040S7XTMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 207 A 272 W HDSOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 750 Stück)*

CHF 3'340.50

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750 +	CHF 4.454	CHF 3'339.06

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RS Best.-Nr.:: 260-1201
Herst. Teile-Nr.:: IPDQ60R040S7XTMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	207A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	HDSOP
	Serie	IPD
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	40mΩ
	Channel-Modus	N
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Durchlassspannung Vf	820mV
	Maximale Verlustleistung Pd	272W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	83nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	15.5mm
	Höhe	2.35mm
	Länge	15.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 207A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße HDSOP
	Serie IPD
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ
	Channel-Modus N
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Durchlassspannung Vf 820mV
	Maximale Verlustleistung Pd 272W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 83nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 15.5mm
	Höhe 2.35mm
	Länge 15.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPDQ60R040S7XTMA1

Der Infineon MOSFET ermöglicht die beste Preisleistung für Niedrigfrequenzschaltanwendungen. CoolMOS S7 verfügt über die niedrigsten Rdson-Werte für einen HV-SJ-MOSFET mit deutlicher Steigerung der Energieeffizienz. CoolMOS S7 ist für "Statische Schaltung" und Hochstromanwendungen optimiert. Er ist ideal für Halbleiterrelais und Überlastschalter sowie für die Leitungsgleichrichtung in SMPS- und Wechselrichtertopologien geeignet.

Hohe Impulsstromfähigkeit

Erhöhte Systemleistung

Kompakteres und einfacheres Design

Geringere BOM und/oder TCO über längere Lebensdauer

Stoß- und Vibrationsbeständigkeit

Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 207 A 272 W HDSOP

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