Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 61 A HDSOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.8.243

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1’688 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 4CHF.8.24
5 - 9CHF.7.83
10 - 24CHF.7.51
25 - 49CHF.7.18
50 +CHF.6.69

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3873
Herst. Teile-Nr.:
IPDD60R045CFD7XTMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

61A

Gehäusegröße

HDSOP

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

210mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode vervollständigt die Serie CoolMOS 7. Der CoolMOS CFD7 verfügt über eine reduzierte Gate-Ladung, ein verbessertes Abschaltverhalten und eine um bis zu 69 % niedrigere Umkehrwiederherstellungsladung im Vergleich zur Konkurrenz sowie die kürzeste Umkehrwiederherstellungszeit auf dem Markt.

Ultraschnelle Gehäuse-Diode

Best-in-Klasse-Ladung mit umgekehrter Wiederherstellung

Verbesserte Robustheit der umgekehrten Diode dv/dt und diff/dt

Best-in-Class Hard-Commutation-Robustheit

Höchste Zuverlässigkeit für Resonanztopologien

Höchster Wirkungsgrad mit außergewöhnlicher Benutzerfreundlichkeit/Leistungskompromiss

Ermöglicht Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte

Verwandte Links