Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 375 A 416 W HDSOP

RS Best.-Nr.:: 260-1199
Herst. Teile-Nr.:: IPDQ60R022S7XTMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 375 A 416 W HDSOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 260-1199
Herst. Teile-Nr.:: IPDQ60R022S7XTMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	375A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	HDSOP
	Serie	IPD
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	22mΩ
	Channel-Modus	N
	Durchlassspannung Vf	0.82V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	150nC
	Maximale Verlustleistung Pd	416W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 375A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße HDSOP
	Serie IPD
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ
	Channel-Modus N
	Durchlassspannung Vf 0.82V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC
	Maximale Verlustleistung Pd 416W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPDQ60R022S7XTMA1

Der Infineon MOSFET ermöglicht die beste Preisleistung für Niedrigfrequenzschaltanwendungen. CoolMOS S7 verfügt über die niedrigsten Rdson-Werte für einen HV-SJ-MOSFET mit deutlicher Steigerung der Energieeffizienz. CoolMOS S7 ist für "Statische Schaltung" und Hochstromanwendungen optimiert. Er ist ideal für Halbleiterrelais und Überlastschalter sowie für die Leitungsgleichrichtung in SMPS- und Wechselrichtertopologien geeignet.

Hohe Impulsstromfähigkeit

Erhöhte Systemleistung

Kompakteres und einfacheres Design

Geringere BOM und/oder TCO über längere Lebensdauer

Stoß- und Vibrationsbeständigkeit

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 375 A 416 W HDSOP

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