Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 375 A 416 W HDSOP
- RS Best.-Nr.:
- 260-1200
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60R022S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
| 1 - 4 | CHF.13.83 |
| 5 - 9 | CHF.12.73 |
| 10 - 24 | CHF.11.91 |
| 25 - 49 | CHF.11.07 |
| 50 + | CHF.10.24 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-1200
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60R022S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 375A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | HDSOP | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 416W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 375A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße HDSOP | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 416W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ermöglicht die beste Preisleistung für Niedrigfrequenzschaltanwendungen. CoolMOS S7 verfügt über die niedrigsten Rdson-Werte für einen HV-SJ-MOSFET mit deutlicher Steigerung der Energieeffizienz. CoolMOS S7 ist für "Statische Schaltung" und Hochstromanwendungen optimiert. Er ist ideal für Halbleiterrelais und Überlastschalter sowie für die Leitungsgleichrichtung in SMPS- und Wechselrichtertopologien geeignet.
Hohe Impulsstromfähigkeit
Erhöhte Systemleistung
Kompakteres und einfacheres Design
Geringere BOM und/oder TCO über längere Lebensdauer
Stoß- und Vibrationsbeständigkeit
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