Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 113.3 A 500 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
- RS Best.-Nr.:
- 348-997
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60T017S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
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- 348-997
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60T017S7XTMA1
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 113.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 196nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC, JS-001 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 113.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-22 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 22 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 196nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC, JS-001 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolMOS S7T bietet die beste Preisleistung für niederfrequente Schaltanwendungen. Der eingebettete Temperatursensor erhöht die Genauigkeit und Robustheit bei der Messung der Sperrschichttemperatur und ermöglicht gleichzeitig eine einfache und nahtlose Implementierung. Der CoolMOS S7T ist für statisches Schalten und Hochstromanwendungen optimiert. Der neue Temperatursensor verbessert die Eigenschaften von S7 und ermöglicht die bestmögliche Nutzung des Leistungstransistors.
Erhöhte Systemleistung
Erhöhte Systemleistung
Kompakteres und unkomplizierteres Design
Niedrigere BOM oder TCO über eine längere Lebensdauer
Mehr Zuverlässigkeit und längere Lebensdauer des Systems
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