Infineon IPDQ60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 174 A 694 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
- RS Best.-Nr.:
- 351-944
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60T010S7AXTMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60T010S7AXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 174A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | IPDQ60 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 318nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 694W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC Q101 | |
| Länge | 15.1mm | |
| Breite | 15.5 mm | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 174A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-22 | ||
Serie IPDQ60 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 22 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 318nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 694W | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AEC Q101 | ||
Länge 15.1mm | ||
Breite 15.5 mm | ||
Höhe 2.35mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolMOS S7TA mit integriertem Temperatursensor erhöht die Genauigkeit und Robustheit der Sperrschichttemperaturmessung und ermöglicht gleichzeitig eine einfache Implementierung und funktionale Sicherheit. Der Baustein ist für Schaltanwendungen mit niedrigen Frequenzen und hohen Strömen optimiert. Er ist ideal für Halbleiterrelais, Batterietrennschalter und eFuses geeignet.
Minimierte Leitungsverluste
Erhöhte Systemleistung
Ermöglicht eine kompaktere Bauweise als EMR
Niedrigere TCO über einen längeren Zeitraum
Ermöglicht Designs mit höherer Leistungsdichte
Reduktion der externen Sensor- Elemente
Beste Ausnutzung des Leistungstransistors
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