Infineon EasyPACK Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 65 A 20 mW Einschub
- RS Best.-Nr.:
- 349-248
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
- Marke:
- Infineon
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- F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 65A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | Einschub | |
| Serie | EasyPACK | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 5.35V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60747, IEC 60068, RoHS, IEC 60749 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße Einschub | ||
Serie EasyPACK | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 5.35V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 60747, IEC 60068, RoHS, IEC 60749 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET 3-Level-Modul in NPC2-Topologie 1200 V, 11mΩ G1hat NTC, vorappliziertes Wärmeleitmaterial und PressFIT-Kontakttechnologie. Der MOSFET zeichnet sich durch ein erstklassiges Gehäuse mit einer kompakten Höhe von nur 12 mm aus, das für eine optimale Leistung in der Leistungselektronik ausgelegt ist. Er verwendet modernste Wide-Bandgap-Materialien, die seine Effizienz und Zuverlässigkeit erhöhen. Das Design beinhaltet eine sehr niedrige Streuinduktivität des Moduls, was eine minimale Verlustleistung und ein verbessertes Schaltverhalten gewährleistet.
Hervorragende Moduleffizienz
Kostenvorteile des Systems
Verbesserung der Systemeffizienz
Geringerer Kühlungsbedarf
Ermöglichung einer höheren Frequenz
Erhöhung der Leistungsdichte
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