Infineon IGLT65 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 47 A 154 W, 16-Pin PG-HDSOP-16
- RS Best.-Nr.:
- 351-889
- Herst. Teile-Nr.:
- IGLT65R035D2ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.9.736
Auf Lager
- 1'800 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 9.74 |
| 10 - 99 | CHF 8.77 |
| 100 + | CHF 8.08 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 351-889
- Herst. Teile-Nr.:
- IGLT65R035D2ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 47A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | IGLT65 | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-16 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.042Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 154W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC for Industrial Applications | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 47A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie IGLT65 | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-16 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.042Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 154W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC for Industrial Applications | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
MOSFET der Serie IGLT65 von Infineon, 650 V Drain-Source-Spannung, 47 A kontinuierlicher Drain-Strom – IGLT65R035D2ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die industrielle Stromschaltung und -steuerung entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und ist für oberflächenmontierte Schaltkreise vorgesehen, bei denen eine robuste Handhabung der Drain-Source-Spannung und eine moderate Gate-Ladung erforderlich sind. Das Gehäuse unterstützt die Multi-Pin-Montage und die Integration in kompakte Leistungsmodule für anspruchsvolle elektronische Systeme.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Drain-Source-Nennleistung für Hochspannungsschaltanwendungen
• 47 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Strombelastbarkeit
• 0,042 Ω RDS(on) für reduzierte Leitungsverluste
• 154 W Verlustleistung zur Steuerung der thermischen Belastung
• 7,7 nC typische Gate-Ladung für effiziente Gate-Ansteuerung
• PG‐HDSOP‐16 oberflächenmontierbares Gehäuse für kompakte Leiterplatten-Layouts
• 47 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Strombelastbarkeit
• 0,042 Ω RDS(on) für reduzierte Leitungsverluste
• 154 W Verlustleistung zur Steuerung der thermischen Belastung
• 7,7 nC typische Gate-Ladung für effiziente Gate-Ansteuerung
• PG‐HDSOP‐16 oberflächenmontierbares Gehäuse für kompakte Leiterplatten-Layouts
Anwendungsbereiche
• Geeignet für industrielle Hochspannungswechselrichterstufen
• Verwendung mit Netzteilen, die eine Schaltleistung von 47 A erfordern
• Ideal für Motorantriebs-Front-Ends in industriellen Geräten
• Kann für Dämpfungs- und Klemmschaltungen in Hochspannungssystemen verwendet werden
• Geeignet für kompakte Leistungsmodule, die oberflächenmontierte MOSFETs benötigen
• Verwendung mit Netzteilen, die eine Schaltleistung von 47 A erfordern
• Ideal für Motorantriebs-Front-Ends in industriellen Geräten
• Kann für Dämpfungs- und Klemmschaltungen in Hochspannungssystemen verwendet werden
• Geeignet für kompakte Leistungsmodule, die oberflächenmontierte MOSFETs benötigen
Welche extremen Temperaturen kann er im Betrieb tolerieren?
Er ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen und industriellen Anlagen mit erweiterten Temperaturen.
Wie viele Stifte verfügt das Gehäuse aus Gründen des Leiterplattenlayouts?
Die Komponente verwendet eine 16-polige Konfiguration, die die Grundfläche des Designs und die thermische Platzierung für eine effektive Wärmeverteilung informiert.
Welche Gate-Treiber-Spannungsbegrenzungen sollten beachtet werden?
Die maximale Gate-to-Source-Spannung beträgt 10 V, sodass Gate-Treiberkreise die Antriebsamplitude entsprechend begrenzen müssen.
Erfüllt das Gerät den Industriestandard für industrielle Anwendungen?
Es wird gemäß den JEDEC-Kriterien für den industriellen Einsatz hergestellt, wodurch es mit den allgemeinen Qualifikations- und Zuverlässigkeitserwartungen für diesen Sektor übereinstimmt.
Verwandte Links
- Infineon IGLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A 102 W, 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon IGLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 38 A 124 W, 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon IGLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 15 A 55 W, 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon IGLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 67 A 219 W, 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 47 A 227 W, 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon IMLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 82 A, 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon IMLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 68 A, 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 57 A 268 W, 16-Pin PG-HDSOP-16