Infineon IMLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 68 A, 16-Pin PG-HDSOP-16
- RS Best.-Nr.:
- 351-949
- Herst. Teile-Nr.:
- IMLT65R033M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.13.745
Vorübergehend ausverkauft
- 1’800 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.13.75 |
| 10 - 99 | CHF.12.37 |
| 100 + | CHF.11.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 351-949
- Herst. Teile-Nr.:
- IMLT65R033M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 68A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Ausgangsleistung | 312W | |
| Serie | IMLT65 | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-16 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Breite | 10.3 mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 68A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Ausgangsleistung 312W | ||
Serie IMLT65 | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-16 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.35mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Breite 10.3 mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der diskrete Infineon CoolSiC MOSFET der Generation 2 (G2) in TOLT nutzt die klassenbeste Schaltleistung des G2 und bietet gleichzeitig alle Vorteile der Oberseitenkühlung. Durch die Ergänzung des Q-DPAK-Gehäuses ist es nun möglich, eine vollständig diskrete Lösung für die Oberseiten-Kühlung zu implementieren, die eine bessere thermische Leistung, eine Reduzierung und Vereinfachung der Systemkosten und eine kostengünstigere Montage ermöglicht.
Ermöglicht Stücklisteneinsparungen
Höchste Zuverlässigkeit
Ermöglicht höchste Effizienz und Leistungsdichte
Vereinfacht Montage und Kühlung
Flüssigkühlung bereit
Ermöglicht Designs ohne Lüfter oder Kühlkörper
Geringere Streuinduktivitäten
Bessere Gate-Kontrolle
Verwandte Links
- Infineon IMLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 82 A, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT65R026M2HXTMA1
- Infineon IGLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 15 A 55 W, 16-Pin IGLT65R110D2ATMA1 PG-HDSOP-16
- Infineon IGLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A 102 W, 16-Pin IGLT65R055D2ATMA1 PG-HDSOP-16
- Infineon IGLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 38 A 124 W, 16-Pin IGLT65R045D2ATMA1 PG-HDSOP-16
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 47 A 227 W, 16-Pin IMLT65R050M2HXTMA1 PG-HDSOP-16
- Infineon IGLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 67 A 219 W, 16-Pin IGLT65R025D2AUMA1 PG-HDSOP-16
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 57 A 268 W, 16-Pin IMLT65R040M2HXTMA1 PG-HDSOP-16
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 96 A 200 W, 16-Pin IMLT65R060M2HXTMA1 PG-HDSOP-16