Infineon IPT0 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 321 A 375 W, 8-Pin PG-HSOF-8

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RS Best.-Nr.:
351-906
Herst. Teile-Nr.:
IPT017N10NM5LF2ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

321A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

IPT0

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

165nC

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC

Breite

10.1mm

Länge

10.58mm

Höhe

1.3mm

Automobilstandard

Nein

Infineon IPT0 Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 321 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPT017N10NM5LF2ATMA1


Dieser MOSFET ist ein leistungsstarker N-Kanal-Transistor, der für anspruchsvolle Schaltanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine hohe Strombelastbarkeit und thermische Beständigkeit erforderlich sind. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem 8-poligen Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für kompakte Leistungsmodule geeignet ist. Das Gerät entspricht den halogenfreien und RoHS-Normen und ist für Systeme vorgesehen, die eine robuste Leitungs- und Schaltleistung ohne Automobilzertifizierung benötigen.

Merkmale und Vorteile:


• 100 V Drain-Toleranz ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 321 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• Niedrige Rds(on) von 1.7 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 375 W ermöglicht einen hohen thermischen Durchsatz
• 165 nC Gate-Ladung unterstützt kontrollierte Schaltübergänge
• Die Durchlassspannung von 1,2 V minimiert die Leitungsverluste der Diode

Anwendungsbereiche


• Geeignet für Hochleistungs-DC/DC-Wandler und Wechselrichter
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird mit Leistungsmodulen verwendet, die oberflächenmontierte MOSFETs erfordern
• Kann für die Server- und Telekommunikations-Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für die Energieumwandlung in erneuerbaren Energiesystemen

Welche Gehäuseeigenschaften beeinflussen die thermische Handhabung auf der Platine?


Das Gerät wird in einem PG-HSOF-8-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das ein Layout mit niedriger Induktivität und eine verbesserte Wärmeübertragung ermöglicht, wenn es an eine große Kupferfläche oder dedizierte Kühlkörperebene gelötet wird.

Wie wirkt sich die Gate-Nennspannung auf das Gate-Antriebsdesign aus?


Bei einer maximalen Gate-Source-Nennspannung von 20 V sollten Gate-Treiber so ausgewählt werden, dass sie innerhalb dieser Grenze bleiben und gleichzeitig einen ausreichenden Antrieb bieten, um einen niedrigen Einschaltwiderstand während der Leitung zu erreichen.

Welchem Umgebungstemperaturbereich kann er während des Betriebs standhalten?


Die Komponente ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Systemen, die extremen Umgebungs- oder erhöhten Sperrschichttemperaturen ausgesetzt sind.

Gibt es Einschränkungen bei der Verwendung im Automobilbereich?


Das Gerät ist nicht nach Automobilstandards klassifiziert, sodass es nicht angegeben werden sollte, wo Zulassungen in Automobilqualität vorgeschrieben sind.

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