Infineon IPT0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 321 A 375 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 351-906
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT017N10NM5LF2ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 351-906
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT017N10NM5LF2ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 321A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT0 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 165nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.3mm | |
| Länge | 10.58mm | |
| Normen/Zulassungen | Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC | |
| Breite | 10.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 321A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT0 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 165nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.3mm | ||
Länge 10.58mm | ||
Normen/Zulassungen Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC | ||
Breite 10.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der klassenbeste OptiMOS 5 Linear-FET 2 100 V in TO-Leadless (TOLL) von Infineon bietet den branchenweit niedrigsten RDS(on) und ein breites SOA bei 25 ˚C. Die Kombination aus der OptiMOS 5 Linear FET 2-Technologie und dem TOLL-Gehäuse wurde entwickelt, um höchste Leistungsdichte für Einschaltstromschutzanwendungen wie Hot-Swap, E-Sicherung und Batterieschutz in Batteriemanagementsystemen (BMS) zu bieten.
Großer sicherer Betriebsbereich (SOA)
Niedriger RDS(on)
Geringere IGSS im Vergleich zu linearen FET
Optimierte Übertragungskennlinie
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