Infineon IGT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 13 A 47 W, 8-Pin IGT65R140D2ATMA1 PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 351-965
- Herst. Teile-Nr.:
- IGT65R140D2ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.18.585
Auf Lager
- 2’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.3.717 | CHF.18.59 |
| 50 - 95 | CHF.3.528 | CHF.17.65 |
| 100 + | CHF.3.266 | CHF.16.35 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 351-965
- Herst. Teile-Nr.:
- IGT65R140D2ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IGT65 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.17Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 47W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC for Industrial Applications | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Serie IGT65 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.17Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 47W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC for Industrial Applications | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der CoolGaN von Infineon ist ein hocheffizienter Galliumnitrid (GaN)-Transistor für die Leistungsumwandlung. Er ermöglicht eine höhere Leistungsdichte, unterstützt die Reduzierung der Systemkosten und erleichtert die Miniaturisierung der Formfaktoren. Er wird mit Hilfe der Wafer-Technologie und vollautomatischer Produktionslinien hergestellt und zeichnet sich durch enge Fertigungstoleranzen und höchste Produktqualität aus. Dadurch eignet er sich für ein breites Spektrum von Anwendungen, von der Unterhaltungselektronik bis hin zu industriellen Anwendungen.
Transistor im Anreicherungsmodus
Ultraschnelles Schalten
Keine Reverse-Recovery-Ladung
Fähigkeit zur Rückleitung
Niedrige Gate- und Ausgangsladung
Überlegene Robustheit der Kommutierung
Verwandte Links
- Infineon IGT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 70 A 236 W, 8-Pin IGT65R025D2ATMA1 PG-HSOF-8
- Infineon IGT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 38 A 131 W, 8-Pin IGT65R045D2ATMA1 PG-HSOF-8
- Infineon IGT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A 106 W, 8-Pin IGT65R055D2ATMA1 PG-HSOF-8
- Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 36 A, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IGLR65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 13 A 47 W, 8-Pin IGLR65R140D2XUMA1 PG-TSON-8
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 26 A 138 W, 8-Pin IMT65R107M1HXUMA1 PG-HSOF-8
- Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 43 A, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 34 A, 8-Pin PG-HSOF-8