Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 44 A 203 W, 8-Pin PG-HSOF-8

RS Best.-Nr.:: 284-726
Herst. Teile-Nr.:: IMT65R057M1HXUMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 44 A 203 W, 8-Pin PG-HSOF-8

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RS Best.-Nr.:: 284-726
Herst. Teile-Nr.:: IMT65R057M1HXUMA1
Marke:: Infineon

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	44A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	PG-HSOF-8
	Serie	CoolSiC MOSFET 650 V G1
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	23 V
	Maximale Verlustleistung Pd	203W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	28nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 44A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße PG-HSOF-8
	Serie CoolSiC MOSFET 650 V G1
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 23 V
	Maximale Verlustleistung Pd 203W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IMT65R057M1HXUMA1

Der Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 zeigt fortschrittliche Siliziumkarbidtechnologie, die sorgfältig für hohe Leistung und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt wurde. Dieser MOSFET profitiert von über zwei Jahrzehnten der Optimierung und bietet außergewöhnliche Effizienz und Benutzerfreundlichkeit, womit er eine ideale Wahl für verschiedene Implementierungen ist, einschließlich Solar-Wechselrichter und Ladesysteme für Elektrofahrzeuge. Seine robusten Eigenschaften sorgen für einen zuverlässigen Betrieb in Umgebungen mit hohen Temperaturen und ebnen den Weg für kompaktere und effizientere Stromversorgungsdesigns. Mit einer schnellen Body-Diode und überlegener Gate-Oxid-Zuverlässigkeit hebt sich dieses Produkt in seiner Kategorie ab und bietet ein einzigartiges Gleichgewicht zwischen Leistung und Benutzerfreundlichkeit. Perfekt für Ingenieure, die nach Exzellenz in Stromversorgungsschaltkreisen streben, verkörpert dieser MOSFET Innovation und Zuverlässigkeit und setzt einen neuen Benchmark in der Branche.

Optimiert für hohe Schaltströme

Verbesserte Lawinenfähigkeit für mehr Robustheit

Kompatibel mit Standardtreibern für mehr Flexibilität

Kelvin-Quellen-Konfiguration reduziert Schaltverluste

Hohe Leistung und Zuverlässigkeit kombiniert

Ideal für kontinuierliche harte Kommutierung

Kompaktes Design verbessert die Leistungsdichte

Qualifiziert für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC-Standards

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 44 A 203 W, 8-Pin PG-HSOF-8

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