Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 36 A, 8-Pin PG-HSOF-8

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-729
Herst. Teile-Nr.:
IMT65R072M1HXUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

36 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Serie

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Enhancement

Transistor-Werkstoff

SiC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der 650 V CoolSiC MOSFET von Infineon ist ein Spitzenprodukt in Sachen Leistung und Zuverlässigkeit, das für eine Vielzahl anspruchsvoller Anwendungen entwickelt wurde. Dieses Gerät basiert auf der fortschrittlichen Siliziumkarbid-Technologie und bietet eine außergewöhnliche Effizienz, insbesondere in Umgebungen mit hohen Temperaturen. Mit mehr als zwei Jahrzehnten Entwicklungsarbeit kombiniert er herausragende Schaltfunktionen und Robustheit, um die Integration in Ihre Schaltungen zu vereinfachen. Aufgrund seiner einzigartigen Eigenschaften eignet er sich ideal für Anwendungen wie Schaltnetzteile, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und energieeffiziente Infrastrukturen für Elektrofahrzeuge. Vertrauen Sie auf diesen fortschrittlichen MOSFET, um die Leistung Ihres Systems zu verbessern und gleichzeitig Größe und Kosten zu reduzieren.

Optimiert für hohe Schaltströme
Elastische schnelle Body-Diode für die Kommutierung
Thermische Stabilität bei erhöhten Temperaturen
Minimale Eingangskapazität gewährleistet schnelle Reaktion
Erweiterte Gate-Oxid-Zuverlässigkeit für Langlebigkeit
Niedrige Gesamt-Gate-Ladung für Effizienz
Nahtlose Integration mit Standardtreibern
Geringere Verluste durch Kelvin-Quellen-Konfiguration
Qualifiziert für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC
Kompaktes Design für höhere Leistungsdichte

Verwandte Links