Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 26 A 138 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-054
- Herst. Teile-Nr.:
- IMT65R107M1HXUMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 349-054
- Herst. Teile-Nr.:
- IMT65R107M1HXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 141mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 138W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 141mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 138W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 basiert auf der seit über 20 Jahren von Infineon entwickelten Siliziumkarbid-Technologie. Durch die Nutzung der einzigartigen Eigenschaften von SiC-Materialien mit breiter Bandlücke bietet der 650 V CoolSiC MOSFET eine außergewöhnliche Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit. Er ist für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen ausgelegt und damit ideal für anspruchsvolle Anwendungen. Dieser MOSFET ermöglicht den vereinfachten und kostengünstigen Einsatz von Systemen mit höchstem Wirkungsgrad, die den steigenden Anforderungen der modernen Leistungselektronik gerecht werden.
Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen
Kommutierungsstabile schnelle Body-Diode mit niedrigem Qfr
Erhöhte Avalanche-Beständigkeit
Kompatibel mit Standardtreibern
Kelvin-Quelle bietet bis zu 4-mal geringere Schaltverluste
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