Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 61 A 263 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 284-720
- Herst. Teile-Nr.:
- IMT65R039M1HXUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.14.868
Auf Lager
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.14.87 |
| 10 - 99 | CHF.13.38 |
| 100 + | CHF.12.34 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 284-720
- Herst. Teile-Nr.:
- IMT65R039M1HXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 61A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 51mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 263W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 61A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 51mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 263W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 ist ein bahnbrechendes Stromversorgungsgerät, das eine außergewöhnliche Leistung bietet, indem es die fortschrittlichen Eigenschaften der Siliziumkarbid-Technologie nutzt. Dieser auf hohe Effizienz und Zuverlässigkeit ausgelegte MOSFET eignet sich hervorragend für Anwendungen, die eine hervorragende thermische Stabilität und hohe Leistung unter rauen Bedingungen erfordern. Mit einer innovativen Gate-Oxid-Struktur und einem überlegenen Schaltverhalten reduziert er die Verluste bei höheren Strömen erheblich und gewährleistet Langlebigkeit und Sicherheit in verschiedenen elektrischen Umgebungen. Der CoolSiC MOSFET eignet sich perfekt für Anwendungen wie Stromversorgungssysteme, Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge und Lösungen für erneuerbare Energien und ist eine vielseitige Lösung, die den hohen Anforderungen der modernen Leistungselektronik gerecht wird. Dieses Gerät ist ein Beweis für mehr als 20 Jahre technische Spitzenleistungen und dient als robuste Grundlage für Energielösungen der nächsten Generation.
Optimiertes Schalten erhöht die Leistung
Robuste Body-Diode gewährleistet zuverlässige Kommutierung
Ausgezeichnetes Wärmemanagement verlängert die Lebensdauer
Effizienter Betrieb bei erhöhter Temperatur
Nahtlose Integration mit Standardtreibern
Kelvin-Quelle reduziert Schaltverluste
Entspricht den JEDEC-Normen für Zuverlässigkeit
Vielseitig für verbesserte Leistungsdichte in Designs
Verwandte Links
- Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 61 A 263 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 36 A, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 59 A 158 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 142 A 294 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 50 A 227 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 44 A 203 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 196 A 375 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 26 A 138 W, 8-Pin PG-HSOF-8