Infineon AIMZA75 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 163 A 517 W, 4-Pin PG-TO247-4
- RS Best.-Nr.:
- 351-988
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMZA75R008M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 163A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Serie | AIMZA75 | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-4 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.0mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 5.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 178nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 517W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 15.9 mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC Q101 | |
| Länge | 21.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 163A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Serie AIMZA75 | ||
Gehäusegröße PG-TO247-4 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.0mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 5.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 178nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 517W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 15.9 mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen AEC Q101 | ||
Länge 21.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- AT
Der Infineon CoolSiC Automotive MOSFET ist auf der soliden Siliziumkarbid-Technologie aufgebaut. Er bietet einen Vorsprung in Bezug auf Leistung, Zuverlässigkeit und Robustheit sowie Flexibilität bei der Ansteuerung der Gates und ermöglicht ein vereinfachtes und kostengünstiges Systemdesign für höchste Effizienz und Leistungsdichte.
Hervorragende Effizienz bei harten Schaltvorgängen
Ermöglicht höhere Schaltfrequenz
Höhere Zuverlässigkeit
Robustheit gegen parasitäre Einwirkungen
Unipolare Ansteuerung
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