Infineon AIMZA75 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 163 A 517 W, 4-Pin PG-TO247-4
- RS Best.-Nr.:
- 351-988
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMZA75R008M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 163A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-4 | |
| Serie | AIMZA75 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.0mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 178nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 517W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 5.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 15.9 mm | |
| Länge | 21.1mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 163A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Gehäusegröße PG-TO247-4 | ||
Serie AIMZA75 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.0mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 178nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 517W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 5.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 15.9 mm | ||
Länge 21.1mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen AEC Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- AT
Der Infineon CoolSiC Automotive MOSFET ist auf der soliden Siliziumkarbid-Technologie aufgebaut. Er bietet einen Vorsprung in Bezug auf Leistung, Zuverlässigkeit und Robustheit sowie Flexibilität bei der Ansteuerung der Gates und ermöglicht ein vereinfachtes und kostengünstiges Systemdesign für höchste Effizienz und Leistungsdichte.
Hervorragende Effizienz bei harten Schaltvorgängen
Ermöglicht höhere Schaltfrequenz
Höhere Zuverlässigkeit
Robustheit gegen parasitäre Einwirkungen
Unipolare Ansteuerung
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