Infineon AIMZA75 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 163 A 517 W, 4-Pin PG-TO247-4
- RS Best.-Nr.:
- 351-988
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMZA75R008M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 163A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-4 | |
| Serie | AIMZA75 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.0mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 178nC | |
| Durchlassspannung Vf | 5.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 517W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC Q101 | |
| Breite | 15.9 mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Länge | 21.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 163A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Gehäusegröße PG-TO247-4 | ||
Serie AIMZA75 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.0mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 178nC | ||
Durchlassspannung Vf 5.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 517W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC Q101 | ||
Breite 15.9 mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Länge 21.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon CoolSiC Automotive MOSFET ist auf der soliden Siliziumkarbid-Technologie aufgebaut. Er bietet einen Vorsprung in Bezug auf Leistung, Zuverlässigkeit und Robustheit sowie Flexibilität bei der Ansteuerung der Gates und ermöglicht ein vereinfachtes und kostengünstiges Systemdesign für höchste Effizienz und Leistungsdichte.
Hervorragende Effizienz bei harten Schaltvorgängen
Ermöglicht höhere Schaltfrequenz
Höhere Zuverlässigkeit
Robustheit gegen parasitäre Einwirkungen
Unipolare Ansteuerung
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