Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 16 A 86 W, 4-Pin AIMZA75R140M1HXKSA1
- RS Best.-Nr.:
- 348-947
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMZA75R140M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.13.65
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 13. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.6.825 | CHF.13.65 |
| 20 - 198 | CHF.6.143 | CHF.12.29 |
| 200 + | CHF.5.67 | CHF.11.33 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 348-947
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMZA75R140M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 182mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 86W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Gehäusegröße PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 182mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 86W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Infineon 750 V CoolSiC MOSFET basiert auf der soliden Siliziumkarbid-Technologie, die Infineon in mehr als 20 Jahren entwickelt hat. Der 750V CoolSiC MOSFET nutzt die Eigenschaften des Wide BandgapSiC-Materials und bietet eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit. Er eignet sich für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen und ermöglicht eine vereinfachte und kosteneffiziente Bereitstellung von Systemen mit höchster Effizienz.
Proprietäre Die-Attach-Technologie von Infineon
Treiberquellen-Pin verfügbar
Erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit für Busspannungen über 500 V
Hervorragende Effizienz bei harten Schaltvorgängen
Höhere Schaltfrequenz in weich schaltenden Topologien
Robustheit gegen parasitäres Einschalten bei unipolarer Gate-Ansteuerung
Geringere Schaltverluste durch verbesserte Gate-Steuerung
Verwandte Links
- Infineon AIM N-Kanal, THT MOSFET 750 V / 60 A, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon AIM N-Kanal, THT MOSFET 750 V / 47 A, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon AIM N-Kanal, THT MOSFET 750 V / 75 A, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon AIM N-Kanal, THT MOSFET 750 V / 23 A, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon AIM N-Kanal, THT MOSFET 750 V / 32 A, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon AIM N-Kanal, THT MOSFET 750 V / 89 A, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon AIM N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 202 A, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon AIM N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 22 A, 4-Pin PG-TO247-4
