Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 75 A 278 W, 4-Pin IMZA75R020M1HXKSA1
- RS Best.-Nr.:
- 349-340
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZA75R020M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-4 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 27mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 67nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße PG-TO247-4 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 27mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 67nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Infineon 750 V CoolSiC Power Device G1 basiert auf Infineons massiver Siliziumkarbid-Technologie, die in mehr als 20 Jahren entwickelt wurde. Durch die Nutzung der einzigartigen Eigenschaften von SiC-Materialien mit breiter Bandlücke bietet der 750 V CoolSiC MOSFET eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit. Es ist speziell für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen ausgelegt und ermöglicht die einfache und kostengünstige Einrichtung von Systemen mit höchster Effizienz. Dieser MOSFET eignet sich perfekt für Anwendungen, die eine robuste Leistung und energieeffiziente Lösungen erfordern.
Erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit für Busspannungen über 500 V
Hervorragende Effizienz bei harten Schaltvorgängen
Höhere Schaltfrequenz in weich schaltenden Topologien
Robustheit gegen parasitäres Einschalten bei unipolarer Gate-Ansteuerung
Geringere Schaltverluste durch verbesserte Gate-Steuerung
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