Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 89 A 319 W, 4-Pin PG-TO247-4
- RS Best.-Nr.:
- 348-938
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMZA75R016M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.31.353
Auf Lager
- Zusätzlich 240 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.31.35 |
| 10 - 99 | CHF.28.21 |
| 100 + | CHF.26.02 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 348-938
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMZA75R016M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 89A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 81nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 319W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 89A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Gehäusegröße PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 81nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 319W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon 750 V CoolSiC MOSFET basiert auf der soliden Siliziumkarbid-Technologie, die Infineon in mehr als 20 Jahren entwickelt hat. Der 750V CoolSiC MOSFET nutzt die Eigenschaften des Wide BandgapSiC-Materials und bietet eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit. Er eignet sich für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen und ermöglicht eine vereinfachte und kosteneffiziente Bereitstellung von Systemen mit höchster Effizienz.
Proprietäre Die-Attach-Technologie von Infineon
Treiberquellen-Pin verfügbar
Erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit für Busspannungen über 500 V
Hervorragende Effizienz bei harten Schaltvorgängen
Höhere Schaltfrequenz in weich schaltenden Topologien
Robustheit gegen parasitäres Einschalten bei unipolarer Gate-Ansteuerung
Geringere Schaltverluste durch verbesserte Gate-Steuerung
Verwandte Links
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 89 A 319 W, 4-Pin IMZA75R016M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 44 A 185 W, 4-Pin AIMZA75R040M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 202 A 750 W, 4-Pin AIMZH120R010M1TXKSA1
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 44 A 185 W, 4-Pin IMZA75R040M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 75 A 278 W, 4-Pin IMZA75R020M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 23 A 113 W, 4-Pin IMZA75R090M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 60 A 234 W, 4-Pin AIMZA75R027M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 32 A 144 W, 4-Pin AIMZA75R060M1HXKSA1