Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 83 A 273 W, 4-Pin PG-TO247-4
- RS Best.-Nr.:
- 349-335
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZA65R020M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 83A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 273W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 57nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 83A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 273W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 57nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der CoolSiC-Serie von Infineon, 650 V Drain-Source-Spannung, 83 A kontinuierlicher Drain-Strom – IMZA65R020M2HXKSA1
Dieser MOSFET ist ein Leistungstransistor aus Siliziumkarbid, der für Hochspannungsschaltungen in Leistungselektroniksystemen entwickelt wurde. Er dient als N-Kanal-Verbesserungsgerät zur Umwandlung und Steuerung elektrischer Energie, wo Effizienz und thermische Belastbarkeit erforderlich sind. Die Komponente wird in einem PG-TO247-4-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für eine robuste Montage und Wärmeableitung in anspruchsvollen elektronischen Baugruppen ausgelegt ist.
Merkmale und Vorteile:
• 650-V-Sperrkapazität unterstützt Hochspannungsdesigns
• Niedrige Rds(on) von 24 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 83 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht Hochstrombetrieb
• Die Verlustleistung von 273 W unterstützt das Wärmemanagement
• Die typische Gate-Ladung von 57 nC sorgt für schnellere Schaltübergänge
• Der Bemessungstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C erweitert den Betriebsumfang
• Niedrige Rds(on) von 24 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 83 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht Hochstrombetrieb
• Die Verlustleistung von 273 W unterstützt das Wärmemanagement
• Die typische Gate-Ladung von 57 nC sorgt für schnellere Schaltübergänge
• Der Bemessungstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C erweitert den Betriebsumfang
Anwendungsbereiche
• Geeignet für industrielle Motorantriebe und Wechselrichter
• Ideal für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Wird mit Traktions- oder Stromversorgungsstufen für erneuerbare Energien verwendet
• Kann für die schnelle DC/DC-Umwandlung verwendet werden
• Geeignet für Batteriesysteme, die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Ideal für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Wird mit Traktions- oder Stromversorgungsstufen für erneuerbare Energien verwendet
• Kann für die schnelle DC/DC-Umwandlung verwendet werden
• Geeignet für Batteriesysteme, die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen von Konstrukteuren beachtet werden?
Das Gerät darf nicht über eine maximale Gate-to-Source-Spannung von 23 V hinaus betrieben werden, um eine Gate-Überspannung zu vermeiden.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die thermische Verlegung auf einer Platine aus?
Das Durchsteckformat PG-TO247-4 ermöglicht die direkte Befestigung des Kühlkörpers und eine einfache thermische Verklebung durch die Leiterplatte für eine verbesserte Ableitung.
Welches Schaltverhalten kann vom Gate-Ladungswert erwartet werden?
Eine typische Gate-Ladung von 57 nC weist auf einen moderaten Energiebedarf des Gate-Antriebs hin und sorgt für ein Gleichgewicht zwischen Schaltgeschwindigkeit und Antriebsstrombedarf.
Welcher Kanalleitungsmodus gilt während des Betriebs?
Der Transistor arbeitet als N-Kanal-Gerät im Enhancement-Modus, für das ein positiver Gate-Antrieb erforderlich ist.
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