Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 103 A 341 W, 4-Pin PG-TO247-4

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RS Best.-Nr.:
349-334
Herst. Teile-Nr.:
IMZA65R015M2HXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

103A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PG-TO247-4

Serie

CoolSiC

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

341W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

79nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

23V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

MOSFET der CoolSiC-Serie von Infineon, 650 V Drain-Source-Spannung, 103 A kontinuierlicher Drain-Strom – IMZA65R015M2HXKSA1


Dieser MOSFET ist ein Leistungstransistor aus Siliziumkarbid, der für Hochspannungsschaltungen in anspruchsvollen industriellen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät und wird in einem vierpoligen PG-TO247-4-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für Kühlkörper- und herkömmliche Montageverfahren geeignet ist. Die Komponente unterstützt den kontinuierlichen Hochstrombetrieb und ist für den Einsatz in einem breiten Temperaturbereich spezifiziert, wodurch sie sich für Systeme eignet, die eine dauerhafte Leistungsaufnahme bei hohen Sperrschichttemperaturen erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• Die Ablassspannung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 103 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• 18 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste für höhere Effizienz
• 79 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Maximale Verlustleistung von 341 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung
• Ausgelegt für den Einsatz bei extremen Temperaturen von -55 °C bis 175 °C

Anwendungsbereiche


• Geeignet für industrielle Motorantriebsstufen
• Ideal für Hochspannungsnetzteile und Wechselrichter
• Einsatz mit robusten Kühlkörperbaugruppen in Umrichtern
• Kann für Hochstrom-DC/DC-Wandlungssysteme verwendet werden
• Geeignet für den Austausch in Durchsteck-Leistungselektronik

Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?


Er wird in einem PG-TO247-4-Gehäuse mit Durchsteckmontage für die Befestigung von gelöteten oder verschraubten Kühlkörpern geliefert.

Wie wirkt sich die Gate-Spezifikation auf das Schaltdesign aus?


Die typische Gate-Ladung von 79 nC zeigt die Gate-Antriebsenergie an und beeinflusst die gewählte Treiberstärke und Schaltgeschwindigkeitskompromisse.

Welche thermischen Grenzwerte sollten Entwickler berücksichtigen?


Das Gerät kann unter spezifizierten Bedingungen bis zu 341 W ableiten und ist für den Betrieb bei bis zu 175 °C für Hochtemperatur-Systemkonzepte ausgelegt.

Ist sie für die Anforderungen von Automobilstandards geeignet?


Es ist nicht spezifiziert, dass es den Zulassungen für Automobilstandards entspricht, und es sollte anhand der Anforderungen an die Qualifizierung im Automobilbereich bewertet werden.

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