Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 103 A 341 W, 4-Pin PG-TO247-4
- RS Best.-Nr.:
- 349-334
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZA65R015M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.21.149
Vorübergehend ausverkauft
- 240 Einheit(en) mit Versand ab 12. August 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 21.15 |
| 10 - 99 | CHF 19.03 |
| 100 + | CHF 17.56 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-334
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZA65R015M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 103A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 341W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 103A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 341W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der CoolSiC-Serie von Infineon, 650 V Drain-Source-Spannung, 103 A kontinuierlicher Drain-Strom – IMZA65R015M2HXKSA1
Dieser MOSFET ist ein Leistungstransistor aus Siliziumkarbid, der für Hochspannungsschaltungen in anspruchsvollen industriellen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät und wird in einem vierpoligen PG-TO247-4-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für Kühlkörper- und herkömmliche Montageverfahren geeignet ist. Die Komponente unterstützt den kontinuierlichen Hochstrombetrieb und ist für den Einsatz in einem breiten Temperaturbereich spezifiziert, wodurch sie sich für Systeme eignet, die eine dauerhafte Leistungsaufnahme bei hohen Sperrschichttemperaturen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassspannung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 103 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• 18 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste für höhere Effizienz
• 79 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Maximale Verlustleistung von 341 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung
• Ausgelegt für den Einsatz bei extremen Temperaturen von -55 °C bis 175 °C
• 103 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• 18 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste für höhere Effizienz
• 79 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Maximale Verlustleistung von 341 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung
• Ausgelegt für den Einsatz bei extremen Temperaturen von -55 °C bis 175 °C
Anwendungsbereiche
• Geeignet für industrielle Motorantriebsstufen
• Ideal für Hochspannungsnetzteile und Wechselrichter
• Einsatz mit robusten Kühlkörperbaugruppen in Umrichtern
• Kann für Hochstrom-DC/DC-Wandlungssysteme verwendet werden
• Geeignet für den Austausch in Durchsteck-Leistungselektronik
• Ideal für Hochspannungsnetzteile und Wechselrichter
• Einsatz mit robusten Kühlkörperbaugruppen in Umrichtern
• Kann für Hochstrom-DC/DC-Wandlungssysteme verwendet werden
• Geeignet für den Austausch in Durchsteck-Leistungselektronik
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?
Er wird in einem PG-TO247-4-Gehäuse mit Durchsteckmontage für die Befestigung von gelöteten oder verschraubten Kühlkörpern geliefert.
Wie wirkt sich die Gate-Spezifikation auf das Schaltdesign aus?
Die typische Gate-Ladung von 79 nC zeigt die Gate-Antriebsenergie an und beeinflusst die gewählte Treiberstärke und Schaltgeschwindigkeitskompromisse.
Welche thermischen Grenzwerte sollten Entwickler berücksichtigen?
Das Gerät kann unter spezifizierten Bedingungen bis zu 341 W ableiten und ist für den Betrieb bei bis zu 175 °C für Hochtemperatur-Systemkonzepte ausgelegt.
Ist sie für die Anforderungen von Automobilstandards geeignet?
Es ist nicht spezifiziert, dass es den Zulassungen für Automobilstandards entspricht, und es sollte anhand der Anforderungen an die Qualifizierung im Automobilbereich bewertet werden.
Verwandte Links
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 38 A 153 W, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 83 A 273 W, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 46 A 172 W, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 93 A 341 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 75 A 278 W, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 89 A 319 W, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 16 A 86 W, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 23 A 113 W, 4-Pin PG-TO247-4
