Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 93 A 341 W, 3-Pin IMW65R015M2HXKSA1 PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 349-062
- Herst. Teile-Nr.:
- IMW65R015M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 93A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 341W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 93A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 341W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 basiert auf Infineons robuster Siliziumkarbid-Trench-Technologie der 2. Generation und bietet unvergleichliche Leistung, überragende Zuverlässigkeit und hervorragende Benutzerfreundlichkeit. Dieser MOSFET wurde entwickelt, um kostengünstige, hocheffiziente und vereinfachte Designs zu ermöglichen, die den ständig wachsenden Anforderungen moderner Stromversorgungssysteme und Märkte gerecht werden. Er ist eine ideale Lösung für eine hohe Systemeffizienz in einer Vielzahl von Anwendungen und bietet zuverlässige Leistung und überlegene Funktionalität.
Extrem niedrige Schaltverluste
Robust gegen parasitäres Einschalten auch bei 0 V Abschaltspannung am Gate
Flexible Ansteuerspannung und kompatibel mit bipolarem Ansteuerungsschema
Robuster Betrieb von Body-Dioden unter harten Kommutierungsereignissen
Die .XT-Verbindungstechnologie für die beste thermische Leistung ihrer Klasse
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