Infineon CoolSiC N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 111 A 341 W, 16-Pin PG-HDSOP-16
- RS Best.-Nr.:
- 762-910
- Herst. Teile-Nr.:
- IMLT40R015M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
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- 762-910
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- IMLT40R015M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 111A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-16 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 4.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 341W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 62nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 15.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 111A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-16 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 4.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 341W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 62nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 15.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der CoolSiC MOSFET von Infineon ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung und verfügt über eine Benchmark-Gate-Schwellenspannung. Darüber hinaus verfügt es über die XT-Verbindungstechnologie für die beste thermische Leistung seiner Klasse.
100 % Avalanche-getestet
Empfohlene Gate-Antriebsspannung
Qualifiziert für industrielle Anwendungen
Wird für die Energiespeicherung, USV und Batteriebildung verwendet
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