Infineon CoolSiC N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 74 A 187 W, 16-Pin PG-HDSOP-16
- RS Best.-Nr.:
- 762-921
- Herst. Teile-Nr.:
- IMLT65R075M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 74A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-16 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 4.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 187W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 2.35mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 74A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-16 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 4.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 187W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 2.35mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der CoolSiC MOSFET von Infineon bietet unvergleichliche Leistung, überlegene Zuverlässigkeit und hohe Benutzerfreundlichkeit. Es ermöglicht kostengünstige, hocheffiziente und vereinfachte Designs, um den ständig wachsenden System- und Marktanforderungen gerecht zu werden.
Extrem niedrige Schaltverluste
Erhöht die Robustheit und Zuverlässigkeit des Systems
Erleichtert die einfache Bedienung und Integration
Reduziert die Größe, das Gewicht und die Materialmenge der Systeme
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