Infineon CoolSiC N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 440 V / 111 A 341 W, 8-Pin TO-LL
- RS Best.-Nr.:
- 762-915
- Herst. Teile-Nr.:
- IMT44R015M2HXTMA2
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.12.12
Auf Lager
- Zusätzlich 2'000 Einheit(en) mit Versand ab 13. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.12.12 |
| 10 - 24 | CHF.10.91 |
| 25 + | CHF.8.97 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 762-915
- Herst. Teile-Nr.:
- IMT44R015M2HXTMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 111A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 440V | |
| Gehäusegröße | TO-LL | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 341W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 62nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 4.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.1mm | |
| Höhe | 11.88mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 111A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 440V | ||
Gehäusegröße TO-LL | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 341W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 62nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 4.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.1mm | ||
Höhe 11.88mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der CoolSiC MOSFET von Infineon ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung und verfügt über eine Benchmark-Gate-Schwellenspannung. Darüber hinaus verfügt es über die XT-Verbindungstechnologie für die beste thermische Leistung seiner Klasse.
100 % Avalanche-getestet
Empfohlene Gate-Antriebsspannung
Qualifiziert für industrielle Anwendungen
Wird für die Energiespeicherung, USV und Batteriebildung verwendet
Verwandte Links
- Infineon CoolSiC N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 111 A 341 W, 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon CoolSiC N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 440 V / 68 A 214 W, 8-Pin TO-LL
- Infineon CoolSiC N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 440 V / 144 A 429 W, 8-Pin TO-LL
- Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 104 A 341 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 112 A 341 W, 4-Pin TO-247-4
- Infineon CoolSiC N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 141 W, 4-Pin TO-LL
- Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 26.6 A 111 W, 4-Pin TO-247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 103 A 341 W, 4-Pin PG-TO247-4