Toshiba N-Kanal, THT MOSFET Transistor 75 V / 60 A 140000 mW, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
362-838
Herst. Teile-Nr.:
TK60D08J1(Q)
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

60 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

78 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

140000 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

4.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

86 nC bei 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

9mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

MOSFET-N-Kanal, Serie TK6 und TK7, Toshiba



MOSFET-Transistoren, Toshiba

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