Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 30 V / 15 A 1900 mW, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 601-5418
- Herst. Teile-Nr.:
- TPC8017-H(Q)
- Marke:
- Toshiba
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 601-5418
- Herst. Teile-Nr.:
- TPC8017-H(Q)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 15 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 7 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 1900 mW | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4.4mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14 nC @ 5, 25 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 15 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 7 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 1900 mW | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4.4mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 14 nC @ 5, 25 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- JP
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