Microchip VN2210 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 90 V / 350 mA 1
- RS Best.-Nr.:
- 598-655
- Herst. Teile-Nr.:
- VN2210N2
- Marke:
- Microchip
Zwischensumme (1 Beutel mit 500 Stück)*
CHF 6'368.00
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Stück | Pro Stück | Pro Beutel* |
|---|---|---|
| 500 + | CHF 12.736 | CHF 6'369.06 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 598-655
- Herst. Teile-Nr.:
- VN2210N2
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal vertikaler DMOS-FET | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 90V | |
| Serie | VN2210 | |
| Gehäusegröße | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Breite | 4.19mm | |
| Länge | 5.08mm | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal vertikaler DMOS-FET | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 90V | ||
Serie VN2210 | ||
Gehäusegröße TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Breite 4.19mm | ||
Länge 5.08mm | ||
Höhe 5.33mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der vertikale N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor von Microchip nutzt eine vertikale doppelt diffusierte Metalloxid-Halbleiter-Struktur (DMOS) zusammen mit einem bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess. Diese Kombination sorgt dafür, dass das Gerät frei von sekundären Ausfällen ist und mit einem niedrigen Stromversorgungsbedarf arbeitet, was es effizient und zuverlässig für verschiedene Anwendungen macht.
Einfache Parallelschaltung
Geringer Stromverbrauch
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
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