Microchip N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 90 V / 350 mA 1 W,
- RS Best.-Nr.:
- 598-665
- Herst. Teile-Nr.:
- VN2460N3-G
- Marke:
- Microchip
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal vertikaler DMOS-FET | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 90V | |
| Gehäusegröße | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Breite | 4.19 mm | |
| Länge | 5.08mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
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|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal vertikaler DMOS-FET | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 90V | ||
Gehäusegröße TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Höhe 5.33mm | ||
Breite 4.19 mm | ||
Länge 5.08mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der vertikale N-Kanal-MOSFET mit Verstärkungsmodus von Microchip ist ein normalerweise ausgeschalteter Transistor, der eine vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate verwendet. Diese Kombination bietet die Leistungsummantelungsfunktionen von bipolaren Transistoren und bietet gleichzeitig die hohe Eingangsimpedanz und den positiven Temperaturkoeffizienten, die typisch für MOS-Geräte sind. Wie bei allen MOS-Strukturen ist das Gerät frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärausfall, was selbst unter anspruchsvollen Bedingungen eine zuverlässige Leistung gewährleistet.
Keine sekundäre Durchschaltung
Geringer Stromverbrauch
Einfache Parallelschaltung
Ausgezeichnete thermische Stabilität
Integrierte Quellen-Ablassdiode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
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