Microchip 2N6660 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 410 mA 6.25 W, 3-Pin TO-39

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RS Best.-Nr.:
649-369
Herst. Teile-Nr.:
2N6660
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

410mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

2N6660

Gehäusegröße

TO-39

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

6.25W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

Lead (Pb)-free/RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Der N-Kanal-Transistor von Microchip im Enhancement-Modus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Siliziumgate-Fertigungsverfahren. Durch diese Kombination entsteht ein Produkt mit der Leistungsbelastbarkeit von bipolaren Transistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Bauelementen. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist.

Keine sekundäre Durchschaltung

Geringer Stromverbrauch

Einfache Parallelschaltung

Niedrige Ciss-Werte und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Ausgezeichnete thermische Stabilität

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