Microchip 2N6661 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 90 V / 350 mA 6.25 W, 3-Pin TO-39

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RS Best.-Nr.:
177-9587
Herst. Teile-Nr.:
2N6661
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

90V

Serie

2N6661

Gehäusegröße

TO-39

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

6.25W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

6.6mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Microchip Technology MOSFET


Der durchkontaktierte N-Kanal-MOSFET von Microchip Technology ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 90 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Abflussquellenwiderstand von 4 Ohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 350 mA und eine maximale Verlustleistung von 6,25 W. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen MOSFET beträgt 5 V bzw. 10 V. Der MOSFET ist ein (normalerweise aus) MOSFET mit einer vertikalen DMOS-Struktur und einem bewährten Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Dieses Gerät ist ein wichtiges Merkmal aller MOS-Strukturen und ist frei von thermischem Durchlaufen und thermisch induzierter sekundärer Zersetzung. Dieser vertikale DMOS-FET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Einfache Parallelschaltung

• Ausgezeichnete Temperaturstabilität

• frei von sekundärem Ausfall

• Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

• Integrierte Source-Drain-Diode

• Niedriger CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

• Geringe Anforderungen an das Laufwerk

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

Anwendungen


• Verstärker

• Konverter

• Treiber: Relais, Hämmer, Magnete, Lampen, Speicher, Anzeigen, bipolare Transistoren usw.

• Motorsteuerungen

• Stromversorgungskreise

• Schalter

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

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