Vishay SQ7414CENW N-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 18 A 62 W, 8-Pin PowerPAK

RS Best.-Nr.:: 653-185
Herst. Teile-Nr.:: SQ7414CENW-T1_JE3
Marke:: Vishay

Vishay SQ7414CENW N-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 18 A 62 W, 8-Pin PowerPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: SQ7414CENW-T1_JE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Einfache MOSFETs
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	18A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	SQ7414CENW
	Gehäusegröße	PowerPAK
	Montageart	Leiterplattenmontage
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.028Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	62W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	25nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	1.12mm
	Länge	3.4mm
	Breite	3.4mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Einfache MOSFETs
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie SQ7414CENW
	Gehäusegröße PowerPAK
	Montageart Leiterplattenmontage
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.028Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 62W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 1.12mm
	Länge 3.4mm
	Breite 3.4mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - SQ7414CENW-T1_JE3

Einfache MOSFETs der Serie SQ7414CENW von Vishay, 60 V Drain-Source-Spannung, 18 A kontinuierlicher Drain-Strom - SQ7414CENW-T1_JE3

Dieser einzelne MOSFET bietet Schalt- und Verstärkungsfunktionen für leistungselektronische Schaltungen in anspruchsvollen Automobil- und Industrieumgebungen. Es wurde als N-Kanal-Verbesserungsgerät entwickelt und ist für die Leiterplattenmontage vorgesehen, bei der eine kontrollierte Leitfähigkeit und thermische Widerstandsfähigkeit erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Ableiterspannung von 60 V für Systeme mit höherer Spannung • 18 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Bewältigung erheblicher Lastströme • 0,028 Ω Einschaltwiderstand reduziert Leitungsverluste • 25 nC typische Gate-Ladung für effiziente Schaltsteuerung • 62 W Verlustleistung für eine höhere Leistungsaufnahme • 175 °C maximale Betriebstemperatur für Umgebungen mit hohen Temperaturen

Anwendungen

• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule, die Komponenten der AEC‐Q101-Klasse erfordern • Ideal für Motorantriebsstufen in industriellen Automatisierungssystemen • Wird für Schaltstufenfunktionen in Power-Management-Einheiten auf Leiterplatten verwendet • Kann für Batterieschutz und Lastschaltung in der Fahrzeugelektronik verwendet werden

Welche Überlegungen sind für eine effiziente Schaltung erforderlich?

Verwenden Sie einen Gate-Treiber, der in der Lage ist, Ströme zu versorgen und zu senken, um die gewünschte dv/dt unter Berücksichtigung der typischen Gate-Ladung von 25 nC bei der angelegten Gate-Spannung zu erreichen.

Wie sollte das Wärmemanagement auf einer Leiterplatte behandelt werden?

Bieten Wärmeleitungen und eine ausreichende Kupferfläche auf der Leiterplatte an, um bis zu 62 W abzuleiten und die Sperrschichttemperaturen unter den angegebenen Höchstwerten von 175 °C zu halten.

Welche Grenzwerte sollten für sichere Betriebsspannungen eingehalten werden?

Stellen Sie sicher, dass die Drain-Source-Spannung nie 60 V überschreitet und die Gate-Source-Spannung innerhalb von ±20 V bleibt, um Gerätebelastungen zu vermeiden.

Gibt es Überlegungen für langfristige Umgebungsextreme?

Entwickelt für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 175 °C maximale Gerätetemperatur, Auswahl von Materialien und Layouts, die thermische Zyklen und Ausdehnung ermöglichen.