Vishay SQ7414CENW Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 18 A 62 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-186
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ7414CENW-T1_JE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
CHF.0.828
Auf Lager
- 3'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 24 | CHF.0.83 |
| 25 - 99 | CHF.0.81 |
| 100 - 499 | CHF.0.79 |
| 500 - 999 | CHF.0.67 |
| 1000 + | CHF.0.63 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 653-186
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ7414CENW-T1_JE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SQ7414CENW | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.028Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 3.4mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SQ7414CENW | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.028Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 3.4mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Höhe 1.12mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Einfache MOSFETs der Serie SQ7414CENW von Vishay, 60 V Drain-Source-Spannung, 18 A kontinuierlicher Drain-Strom - SQ7414CENW-T1_JE3
Dieser einzelne MOSFET bietet Schalt- und Verstärkungsfunktionen für leistungselektronische Schaltungen in anspruchsvollen Automobil- und Industrieumgebungen. Es wurde als N-Kanal-Verbesserungsgerät entwickelt und ist für die Leiterplattenmontage vorgesehen, bei der eine kontrollierte Leitfähigkeit und thermische Widerstandsfähigkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Ableiterspannung von 60 V für Systeme mit höherer Spannung • 18 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Bewältigung erheblicher Lastströme • 0,028 Ω Einschaltwiderstand reduziert Leitungsverluste • 25 nC typische Gate-Ladung für effiziente Schaltsteuerung • 62 W Verlustleistung für eine höhere Leistungsaufnahme • 175 °C maximale Betriebstemperatur für Umgebungen mit hohen Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule, die Komponenten der AEC‐Q101-Klasse erfordern • Ideal für Motorantriebsstufen in industriellen Automatisierungssystemen • Wird für Schaltstufenfunktionen in Power-Management-Einheiten auf Leiterplatten verwendet • Kann für Batterieschutz und Lastschaltung in der Fahrzeugelektronik verwendet werden
Welche Überlegungen sind für eine effiziente Schaltung erforderlich?
Verwenden Sie einen Gate-Treiber, der in der Lage ist, Ströme zu versorgen und zu senken, um die gewünschte dv/dt unter Berücksichtigung der typischen Gate-Ladung von 25 nC bei der angelegten Gate-Spannung zu erreichen.
Wie sollte das Wärmemanagement auf einer Leiterplatte behandelt werden?
Bieten Wärmeleitungen und eine ausreichende Kupferfläche auf der Leiterplatte an, um bis zu 62 W abzuleiten und die Sperrschichttemperaturen unter den angegebenen Höchstwerten von 175 °C zu halten.
Welche Grenzwerte sollten für sichere Betriebsspannungen eingehalten werden?
Stellen Sie sicher, dass die Drain-Source-Spannung nie 60 V überschreitet und die Gate-Source-Spannung innerhalb von ±20 V bleibt, um Gerätebelastungen zu vermeiden.
Gibt es Überlegungen für langfristige Umgebungsextreme?
Entwickelt für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 175 °C maximale Gerätetemperatur, Auswahl von Materialien und Layouts, die thermische Zyklen und Ausdehnung ermöglichen.
Verwandte Links
- Vishay SQ3426CE Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 18 A 62 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SQ3426CE Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 7 A 5 W, 6-Pin TSOP-6
- Vishay SQJA36EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 350 A 500 W, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQ3419CEV Typ P-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V / 6.9 A 5 W, 6-Pin PowerPAK
- Vishay SQJ131ELP Typ P-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V / -300 A 500 W, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQS201CENW Typ P-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V / -16 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SQJ141ELP Typ P-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V / -232 A 500 W, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJA61EP Typ P-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / -54.5 A 68 W, 4-Pin PowerPAK