Vishay SQS201CENW Typ P-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung -100 V / -16 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-189
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS201CENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -100V | |
| Serie | SQS201CENW | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0800Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 26nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 3.30mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 3.30mm | |
| Höhe | 0.41mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -100V | ||
Serie SQS201CENW | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0800Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 3.30mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 3.30mm | ||
Höhe 0.41mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Einfache MOSFETs der Serie SQS201CENW von Vishay, -100 V maximale Drain-Source-Spannung, -16 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SQS201CENW-T1_GE3
Dieser einzelne MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät für Leistungsschaltfunktionen in elektronischen Systemen, insbesondere dort, wo Robustheit in Automobilqualität erforderlich ist. Es wurde für die Leiterplattenmontage in einem PowerPAK-Gehäuse entwickelt und bietet ein Gleichgewicht zwischen Strombelastbarkeit und Spannungsfähigkeit, das für anspruchsvolle industrielle und Fahrzeugsteuerungsumgebungen geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• P-Kanal-Gerät, das eine High-Side-Schaltung in Schaltkreisen ermöglicht • 100 V Drain-to-Source-Nennleistung ermöglicht große Spannungsbereiche • -16 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Belastbarkeit • 0,08 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last • 26 nC typische Gate-Ladung unterstützt moderate Schaltgeschwindigkeiten • 62,5 W Verlustleistung bewältigt erhebliche thermische Belastung
Anwendungen
• Geeignet für High-Side-Leistungsschaltung in Automobilmodulen • Ideal für den Schutz von Motorantrieben und Steuerkreisen • Wird für Batteriemanagement und Stromverteilungssysteme verwendet • Kann für logische Leistungsstufen in der industriellen Automatisierung verwendet werden
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?
Die Gate-to-Source-Exkursion darf 20 V nicht überschreiten, um Gerätebelastungen zu vermeiden.
Wie verhält sich das Gerät in der Praxis bei extremen Temperaturen?
Es ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen, ohne seine Nenngrenzen zu überschreiten.
Welche Packungsaspekte beeinflussen das Leiterplatten-Layout und die Kühlung?
Die 8-polige PowerPAK-Grundfläche beeinflusst die Wärmeleitwege und erfordert ausreichend Leiterplattenkupfer für die Wärmeableitung, um die 62,5-W-Leistungsaufnahmekapazität zu nutzen.
Gibt es spezifische Normen, die die Auswahl für den Einsatz im Automobilbereich beeinflussen?
Er erfüllt die AEC‐Q101-Qualifikation für die Automobilindustrie, was auf die Eignung für elektronische Fahrzeuganwendungen gemäß dieser Norm hinweist.
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