Vishay SQSA70CENW N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 18 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
- RS Best.-Nr.:
- 228-2972
- Herst. Teile-Nr.:
- SQSA70CENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF 10.00
- Zusätzlich 2'990 Einheit(en) mit Versand ab 06. Oktober 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF 1.00 | CHF 9.99 |
| 100 - 240 | CHF 0.949 | CHF 9.47 |
| 250 - 490 | CHF 0.747 | CHF 7.50 |
| 500 - 990 | CHF 0.697 | CHF 6.99 |
| 1000 + | CHF 0.596 | CHF 6.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2972
- Herst. Teile-Nr.:
- SQSA70CENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 W | |
| Serie | SQSA70CENW | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 68.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 850mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 3.3mm | |
| Höhe | 3.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 W | ||
Serie SQSA70CENW | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 68.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 850mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 3.3mm | ||
Höhe 3.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der Serie SQSA70CENW von Vishay, 150 V Drain-Source-Spannung, 18 A kontinuierlicher Drain-Strom – SQSA70CENW-T1_GE3
Merkmale und Vorteile:
• Der kontinuierliche Ablassstrom des 18A unterstützt schwere Lasten
• 68.5 mΩ RDS(on) minimiert Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 8 nC ermöglicht schnelle Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 62.5 W bewältigt thermische Belastungen
• Die Gate-Source-Toleranz von 20 V ermöglicht große Antriebsmargen
Anwendungen
• Ideal für DC/DC-Wandler in Industrieanlagen
• Wird mit Motortreibern verwendet, die hohe Ströme erfordern
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement und Ladeschaltkreise
In welchem Temperaturbereich kann er zuverlässig betrieben werden?
Welche Gehäusetyp und Montageart wird verwendet?
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Schaltleistung aus?
Ist sie für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignet?
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