Vishay SQSA70CENW N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 18 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W

RS Best.-Nr.:: 228-2971
Herst. Teile-Nr.:: SQSA70CENW-T1_GE3
Marke:: Vishay

Vishay SQSA70CENW N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 18 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W

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RS Best.-Nr.:: 228-2971
Herst. Teile-Nr.:: SQSA70CENW-T1_GE3
Marke:: Vishay

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	18A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Serie	SQSA70CENW
	Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8 W
	Montageart	Leiterplattenmontage
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	68.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	8nC
	Maximale Verlustleistung Pd	62.5W
	Durchlassspannung Vf	850mV
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	3.3mm
	Breite	3.3mm
	Höhe	3.3mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Serie SQSA70CENW
	Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 W
	Montageart Leiterplattenmontage
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 68.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC
	Maximale Verlustleistung Pd 62.5W
	Durchlassspannung Vf 850mV
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 3.3mm
	Breite 3.3mm
	Höhe 3.3mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - SQSA70CENW-T1_GE3

MOSFET der Serie SQSA70CENW von Vishay, 150 V Drain-Source-Spannung, 18 A kontinuierlicher Drain-Strom – SQSA70CENW-T1_GE3

Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen in Leiterplattenmontagesystemen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen über einen breiten Temperaturbereich hinweg geeignet ist, und wird in einem kompakten SMD-Gehäuse für enge Leiterplatten-Layouts präsentiert.

Merkmale und Vorteile:

• 150 V Drain-Fähigkeit ermöglicht Hochspannungsschaltung
• Der kontinuierliche Ablassstrom des 18A unterstützt schwere Lasten
• 68.5 mΩ RDS(on) minimiert Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 8 nC ermöglicht schnelle Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 62.5 W bewältigt thermische Belastungen
• Die Gate-Source-Toleranz von 20 V ermöglicht große Antriebsmargen

Anwendungen

• Geeignet für Kraftfahrzeug-Leistungsumwandlungsmodule
• Ideal für DC/DC-Wandler in Industrieanlagen
• Wird mit Motortreibern verwendet, die hohe Ströme erfordern
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement und Ladeschaltkreise

In welchem Temperaturbereich kann er zuverlässig betrieben werden?

Er funktioniert in einem breiten Bereich von -55 °C bis 175 °C und eignet sich daher für Umgebungen mit erhöhten Temperaturen.

Welche Gehäusetyp und Montageart wird verwendet?

Das Gerät wird in einem PowerPAK 1212-8W SMD-Gehäuse geliefert, das für die Leiterplattenmontage entwickelt wurde, um die kompakte Montage zu erleichtern.

Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Schaltleistung aus?

Eine typische Gate-Ladung von 8 nC reduziert die Gate-Antriebsenergie und trägt zu einem schnelleren Ein- und Ausschalten in Schalttopologien bei.

Ist sie für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignet?

Er erfüllt die AEC-Q101-Anforderungen für den Einsatz in elektronischen Kfz-Systemen, bei denen eine Komponentenqualifizierung erforderlich ist.